Trench SPT IGBT чипы 1200 В от Hitachi ABB Power Grids

Компания Hitachi ABB Power Grids расширяет линейку чипов IGBT 12 класса выполненным по технологии TSPT IGBT – 5SMZ 08J1201 и 5SMW 08N1201.

Кристалл 5SMZ 08J1201 с рабочим током 150А (TC = 115 °C, Tvj = 150 °C), пиковым током 300 А (tp = 1 мс), минимальным пробивным напряжением V(BR)CES 1300 В и VCE sat 1,8 В при температуре кристалла 25 °С. Энергия выключения Eoff при номинальном токе 150 А и температуре кристалла 25 °С составляет 22 мДж. Размер кристалла составляет 10,23×10,27 мм.

Кристалл 5SMW 08N1201 с рабочим током 300А (TC = 115 °C, Tvj = 150 °C), пиковым током 600 А (tp = 1 мс), минимальным пробивным напряжением V(BR)CES 1300 В и VCE sat 1,6 В при температуре кристалла 25 °С. Энергия выключения Eoff при номинальном токе 300 А и температуре кристалла 25 °С составляет 35 мДж. Размер кристалла составляет 18,99×11,64 мм.

Толщина кристалла в обоих случаях 130 микрон. Металлизация передней поверхности AlCu, задней - Al/Ti/Ni/Ag.
Инженерные образцы кристаллов будут доступны в мае 2021 года. Массовый выпуск планируется в ноябре 2021 года.

Заказать образцы можно уже сейчас.

Более подробно ознакомиться с техническими характеристиками можно в документации на изделия по ссылкам ниже:

• 5SMW 08N1201
• 5SMZ 08J1201